12月5日消息，華邦和嵌華邦電子官宣推出全新8Gb DDR4 DRAM，電推該產品采用華邦自有先進16nm制程技術，制程提供更高速度、用于應用更低功耗及更具成本效益的工業解決方案，適用于電視、入式服務器、華邦和嵌網通設備、電推工業計算機及嵌入式應用等多元市場。制程

得益于16nm制程，用于應用新一代DDR4產品在性能上取得重要突破。工業與前代技術相比，入式該制程具備更小的華邦和嵌晶粒尺寸、更高的電推晶圓產出率及更優的能效表現，幫助客戶在封裝尺寸不變的制程情況下集成更高容量的DRAM。

制程優化還提升了信號完整性，降低漏電率，確保產品在高達3600Mbps的數據傳輸速率下保持穩定運行。

作為業內首款支持3600Mbps傳輸速率的DDR4產品，華邦8Gb DDR4 DRAM超越了現有DDR4標準，能夠滿足高速運算應用的數據處理需求。借助16nm技術帶來的芯片面積縮小，該產品可在同等封裝中提供更大容量，有助于進一步降低系統整體成本。

華邦電子擁有從設計、16nm制程開發到制造的全流程自有能力，能夠為工業級客戶及KGD（良品裸晶圓）用戶提供可靠的供應鏈支持與專業售后服務。

基于同一16nm制程平臺，華邦還在同步開發另外三款DRAM產品，包括CUBE、8Gb LPDDR4及16Gb DDR4，以進一步拓展其新一代內存產品布局。