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        iPhone 18 Pro/20周年iPhone渲染圖出爐:挖孔漸漸消失

        時間:2010-12-5 17:23:32  作者:綜合   來源:時尚  查看:  評論:0
        內容摘要:11月15日消息,根據博主爆料的消息,明年的iPhone 18 Pro系列將首次縮小靈動島面積,2027年亮相的20周年iPhone將會把Face ID和前攝全部置于屏幕下方,實現真面屏形態。有博主基

        11月15日消息,渲消失根據博主爆料的染圖消息,明年的出爐iPhone 18 Pro系列將首次縮小靈動島面積,2027年亮相的挖孔20周年iPhone將會把Face ID和前攝全部置于屏幕下方,實現真面屏形態。漸漸

        有博主基于爆料信息繪制了iPhone 18 Pro和20周年iPhone的渲消失渲染圖,在這兩代iPhone上,染圖正面的出爐挖孔區域漸漸消失。

        目前安卓陣營已經推出了屏下前攝機型,挖孔代表品牌是漸漸努比亞,最新的渲消失紅魔11 Pro系列以及努比亞Z80 Ultra都是真全面屏旗艦。以努比亞Z80 Ultra為例,染圖該機采用納米級高透材料、出爐獨立像素驅動技術,挖孔顯著提升屏下攝像透光率,漸漸最終實現屏下鏡頭全場景完美隱藏效果。

        相比努比亞,蘋果要想要實現真全面屏設計,不僅要做屏下前攝,還要將Face ID組件置于屏幕下方,既不影響顯示效果又兼顧生物識別。

        在此之前,有關蘋果屏下Face ID的多項專利被曝光,蘋果的新專利通過創新設計,移除部分子像素,使紅外光能夠更順暢地穿過屏幕蓋板,從而實現高效的屏下人臉識別。

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